第83章 现在就拆给你看！（1/2）
光刻作为芯片制造流程中最关键的环节，其基本原理其实很简单，就是用光，来完成对硅片的雕刻。
光刻中的硅片，就像是挂在墙上的投影布，而光刻机则是投影仪，
如果投影布表面不平整，出现起伏，那投影的画面自然就会扭曲变形。
在光刻中，硅片的表面瑕疵，则会导致投影上去的电路设计路变形，从而导致良率降低，甚至整张晶圆报废。
所以想要得到一张能用来制造芯片的硅片，则需要把切割后的单晶硅片进行抛光打磨，直至它的表面平整度低于1.5nm。
这相当于在电影院挂上一块大幕布，它的表面起伏不能超过一根头发丝大小，无限接近于完美的镜面。
因此，这对硅片制造抛光工艺要求，自然就显得极其重要了。
从圆珠笔头上的小钢珠，到芯片的原材料硅片，再到光刻机上的镜片，最后甚至是科幻三体中表面完美无暇的水滴……
其实考验一个文明工业水平高度的，就是看你能把一个物品造得有多精细。
而造精细的东西，自然就需要空气干净的洁净室，不然空气中全是灰尘细菌，再怎么打磨造不出合格的硅片。
“其实这些年我们通过仿制岛国的设备，已经可以达到2.6nm的平整度了，但无论我们再怎么检查，哪怕每一个零件都已经达标了，但依然没办法继续突破……”
严辉穿一边穿着防护服，一边向康驰介绍着他们的研究进度。
“抛到2.6nm用的是什么抛光液？”
“以i2为基础，加入0-70t%的双氧水，最后用调节到8.5。”
康驰点了点头：“先看看再说吧。”
两人穿好防护服后，很快就来到了抛光实验室，然后由严辉主持，向康驰演示了一次抛光实验。
在传统的硅片抛光打磨中，通常会先用机械抛光机，对硅片进行初步打磨，再清洗，最后进行化学机械抛光，也称为精磨。
精磨是一种利用抛光液的化学腐蚀功能，配合机械转盘的机械打磨，两者互相配合来达到硅片的工艺标准。
实验的结果是3.1nm，比他们能做的极限还差不少。
康驰沉思了片刻，然后说道：“换成30t%l23基液，加65t%高锰酸钾作为化学抛光液，用5t%3调成8.0的值再试一遍。”
严辉点了点头，带着研究员们调配好抛光液，然后重新进行了一次实验。
“平整度5.9nm。”
看到这个结果，原本还有点小期待的严辉，不由露出一抹失望的神色。
但康驰却依然不为所动，又报出了一组抛光液配比，让他们重新进行第三次实验。
“平整度5.9nm。”
5.9？
还是5.9？！
是巧合吗？
虽然5.9显然是远远不达标的，但严辉却似乎意识到了什么，有些惊讶地转头看向康驰。
“你……计算好的？”
“算是吧。”
康驰点了点头。
这下严辉彻底呆住了，
要知道，化学机械抛光的技术难点，除了抛光设备的硬件要达标之外，还要根据设备性能、硅片参数，来调配化学抛光液，以达到化学抛光和机械抛光的完美配合。
要想调试得好，首先就需要对设备了如指掌，其次这是丰富的抛光液调配经验。
但康驰仅仅只是通过一次实验演示，就能看似轻松地报出两组不同成分的抛光液，并在后续的实验中，达到同一数值的平整度……
这多少有点匪夷所思了吧？
哪怕是已经参与过无数次测试的严辉，在没有经过计算机模拟的情况下，也绝对做不到如此精准的控制，
估计误差至少得有个0.3nm。
他有些难以置信地问道：“你到底是怎么做到的？”
“嗯，我也说不上来……可能是某种直觉吧，我这人对机械的东西，敏感度还挺高的。”
康驰思索了片刻，又接着说道，
“我估计伱这台抛光机，能稳定发挥的正常水平，应该就是3.0nm左右，2.6nm只是你们因为偶然因素才意外达到的，肯定不会超过三次。”
严辉再次愣了愣，显然是被康驰猜中了。
“确实，只有一次……”
康驰本来还想说点什么，结果肚子都已经饿得咕咕叫了，
看了看时间，发现三轮实验过后，竟然已经不知不觉都到了晚上八点。
“不好意思，一个没注意都这这么晚了……大家赶紧收拾收拾，先去吃饭吧，今天辛苦你们了。”
“嗯。”严辉点了点头道，“那大家吃完饭，九点再回来继续。”
“回来继续？”康驰不由露出了奇怪的表情，“继续干嘛？”
“做实验啊。”
“没用的，
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